存儲價格持續下行的市況即將步入尾聲。

編者按：本文來自微信公眾號 半導體產業縱橫（ID：ICViews），作者：豐寧，微新創想經授權發布。

2023行至過半，存儲芯片大跌的寒風依舊凜冽，DRAM加速降價、NAND閃存價格多輪下探、SSD也同步滑落，至于這場大風究竟要刮到何時未曾可知。

不過，近日已有多重信息表明整個存儲行業的周期底部越來越明顯，存儲價格持續下行的市況即將步入尾聲。

01觸底反彈還是持續低迷

在過去的幾個月里，內存和SSD硬盤等多類產品的價格持續下跌，如今已跌至歷史低位，32GB內存和2TB大容量存儲的價格也來到新的甜蜜點。以下是各類產品近一年降價情況。

然而，進入2023年下半年后，市場走勢正在發生變化，多家研究機構及存儲原廠紛紛預測這些產品的價格已經觸底，并有可能在7月份出現上漲。

美國市場調查機構發布的最新報告稱，美光、西部數據等存儲芯片供貨商認為產品價格已跌到底，開始取消以折扣價提前進行批量交易的模式，甚至開始抬高價格。預計Q3起存儲芯片價格下跌幅度將會收窄，部分產品合約價格很可能從Q4起出現上升拐點，不同產品線情況有別，明年有望全面復蘇。

02DRAM Q3觸底，NAND再等一季

那么DRAM 和NAND的情況如何？分別在什么時候迎來行業回溫？

首先看DRAM。據臺媒報道，面對行業傳統旺季，三星、SK海力士及美光三家存儲巨頭都計劃調漲DRAM的下一季度合約價，目標漲幅7%—8% 。此外，美國調研公司發布的報告顯示，盡管目前內存芯片價格相對穩定，但從2023年下半年開始，DDR5內存可能會面臨漲價。據稱，PC端的DDR5內存價格或將最高上漲5%，而服務器的DDR5內存價格可能最高上漲10%。已有部分廠商在2023年7月份開始上調內存價格，這可能對市場產生較大影響。

其次看NAND。近日NAND閃存芯片市場也傳出由于庫存水平仍然很高，價格已跌破制造商底線，影響盈利能力的消息，上游NAND原廠計劃從7月開始調漲價格。

值得注意的是7月起開始調漲價格 并不意味著市場真正的回溫。中國臺灣經濟日報認為，存儲器經過一年的庫存調整，加上三星等減產效應逐漸顯現，法人預期DRAM有望在第三季度觸底，NAND Flash則延后一季在第四季度觸底。

據悉，7月三星將DRAM月產量削減至62萬片晶圓，同比減少12%以上，創下了公司自2021年第三季度以來DRAM產量的新低。目前，三星的DRAM工廠中，除了采用最先進工藝制程的平澤園區之外，基本所有產線的DRAM產量都在下降。三星內部計劃將減產持續至明年，在半導體市場重回供需平衡之前，公司將避免擴產存儲芯片。Omdia預計，明年下半年三星的DRAM月產量將保持在60萬片，較目前水平進一步減少。與此同時，三星也開始積極與主要客戶重新談判DRAM價格

美光的庫存水位也已經得到有效控制。美光季度末庫存維持在82億美元小幅波動，最新目標庫存周轉天數為4個月（當前約5.6個月），減產幅度從25%提高到30%。下半年上游原廠有望積極地持續減產，強化庫存管理和控制供應增長。

03三大先鋒率先調漲

不同于去年的普遍衰退，其實自步入今年以來，就已經有零星產品開始漲價，分別是：DDR5和HBM，此外手機用大容量內存的行情報價也將呈上揚態勢。看一下這三大板塊當下的需求及發展狀況。

首先看DDR5。驅動DRAM 內存市場向DDR5升級的動力應該是來自對帶寬有強烈需求的專業應用領域，比如云服務器、邊緣計算等等，由于系統內存帶寬跟不上服務器 CPU 核心數量的增長，因此服務器需要更大的內存帶寬。在服務器市場，經過數月的庫存消耗，國內服務器主要廠商的庫存水平也已經回落至健康水位，近期市場詢單也確有增多，部分廠商已開始釋出訂單。三星電子、SK 海力士和美光三家公司正在推動DDR5內存的普及，以期抵制當前半導體市場下滑的趨勢。

7月20日，據業內人士透露，DDR5內存價格出現小幅上漲，這表明該市場即將從最低點進入恢復階段。

其次，被AI服務器引爆的HBM新型存儲需求也在今年開年以來迅速增加。根據 Trendforce 數據，HBM 市場被海力士（占 53%)、三星（占38%）和美光（占9%）三大內存原廠占據。受益于AI的提振，2023年開年后三星、SK海力士兩家存儲大廠HBM訂單就快速增加，價格也水漲船高，據悉近期HBM3規格DRAM價格上漲5倍。目前SK海力士已著手擴建HBM產線，目標將HBM產能翻倍。擴產焦點在于HBM3，SK海力士正在準備投資后段工藝設備。三星也計劃投資1萬億韓元（約合7.6億美元）擴產HBM，目標明年底之前將HBM產能提高一倍，公司已下達主要設備訂單。不過調整產能需要時間，很難迅速增加HBM產量，預計未來兩年HBM供應仍將緊張。

最后，5G智能手機的強勁需求也為智能手機內存市場的增長創造了上升趨勢。目前應用于智能手機存儲的RAM和ROM最新產品規范已經發展到了LPDDR5/5x和UFS4.0，無疑將成為各大手機廠商高端旗艦應用首選，但是這兩種類型產品目前供應來源和產能相對有限。根據CFM數據顯示，由于各廠商之前價格基準不同，預計Q3 LPDDR5/5x普遍漲幅將在10%—20%，漲至0.2-0.22美元/Gb以上的意愿較強，部分廠商在供應和報價方面仍存在不確定性；UFS 4.0方面，由于上半年部分搭載UFS4.0產品機型銷量反饋較好，下半年搭載UFS4.0機型預計比之前預期更多，因此行情報價也將呈上揚態勢。

04國產存儲公司突然走紅

今年以來存儲市場價格雖然在一直下探，但國產存儲廠商卻一直表現不凡。

國產A股存儲芯片核心公司約有10余家。根據私募排排網數據顯示，截至7月13日收盤，有7只存儲芯片概念股年內漲幅已翻倍。當日存儲板塊指數更是大漲6%以上，其中具有優秀表現的公司包括：兆易創新、北京君正、東芯半導體、華海誠科等。

那么存儲芯片為何突然走強？又有哪些公司有望在這次走紅中受益？

HBM盛行，國產公司涌現

今年以來HBM板塊持續爆發，然而這一賽道主要被海外巨頭所壟斷。2022年HBM市場份額中，SK海力士獨占50%，三星約40%，美光僅10%，且SK海力士是目前唯一量產HBM3的公司。不過在HBM盛行的當下，一些優秀的國產公司也正在涌現。比如：HBM供應商華海誠科、雅克科技、太極實業；HBM代理商香農芯創、商洛電子；HBM環氧塑封料供應商華海誠科、飛凱材料、宏昌電子、壹石通、聯瑞新材；還有進擊HBM先進封裝的華海誠科、中富電路；HBM基板供應商中富電路、科翔股份、滿坤科技等。

其中華海誠科可以應用于HBM的材料已通過部分客戶認證，顆粒狀環氧塑封料是HBM需要的核心封測材料，目前國內唯一，全球僅三家；雅克科技是SK海力士的核心供應商，HBM核心標的，也是全球領先的前驅體供應商之一。

利基市場收益

眾所周知，美光在中國的存儲市場“占地不菲”，倘若美光在中國的業務受限，首先受益的自然是利基存儲市場。利基存儲主要包含 4Gb DDR4 及以下的 DRAM，2D NAND 及 NOR Flash、EEPROM 等品類，毛利較低，市場規模遠小于主流儲存產品，但是相應技術壁壘也相對較低，國外巨頭正在逐步退出這部分競爭，國內存儲芯片設計公司正在逐步崛起。

在利基存儲領域，兆易創新是成長最快、實力最強的公司。兆易創新的存儲芯片營收中70% 來自NOR閃存、利基型DRAM占比18%，其余小部分為NAND閃存，公司目前產品布局主要面向IPC、機頂盒、掃地機器人等物聯網領域利基市場需求。

在利基型 DRAM 車用存儲領域，北京君正通過并購獲得了后發趕超的優勢。據IC Insights數據顯示，全球車規DRAM市場份額排名前三的分別為美光（45％）、北京矽成（15％）和三星（11％），若美光業務受限，車載存儲龍頭北京君正有望優先受益；SLC NAND領域，國內龍頭東芯股份有望受益。

下游的存儲模組行業，江波龍和佰維存儲在全球市場也有較強競爭力，其中江波龍的 eMMC 及 UFS 在全球市場占有率為 6.5%，全球第六，國內第一；佰維存儲全球市占率 2.4%，全球第八，國內第二。這兩家公司的主要供應商，都包括美光。

先進封測當道

目前，包括三星、美光、SK 海力士在內的國際領先存儲器大廠都是以 IDM 的模式運營，不過，長江存儲和長鑫存儲尚處于起步階段，并沒有完善的內部封裝能力，選擇將封裝外包給 OSAT 廠商，這就給了國內 OSAT 廠商一個商機。

在存儲器封裝市場，也有以通富微電、深科技（沛頓科技）、太極實業、華天科技、長電科技等為代表的眾多國內封測廠商紛紛押下重注。通富微電將存儲器封測作為其未來發展的重點領域，并與長江存儲、長鑫存儲結為戰略合作伙伴，已大規模生產存儲產品。深科技在年報中指出，隨著國產存儲廠商相繼達成有效產能，半導體制造環節（包括晶圓代工和封測）的景氣度持續走高。長電科技也在年報中表示，在半導體存儲市場領域，長電科技的封測服務覆蓋 DRAM、Flash 等各種存儲芯片產品。

05結語

存儲芯片作為半導體產業的風向標，呈現出較強的周期性，行業景氣度受供需關系影響較大，在景氣度高漲時，各廠商擴大產能以增加收入，易導致供應過剩，而在景氣度下降時則收縮產能、降價清理庫存，最終導致市場供不應求。從歷史周期維度看，存儲行業周期約為3-4年，而本周期自2020年Q1起始，于2022年Q1價格階段性見頂，目前已連續6個季度降價。

當下已接近這一輪存儲芯片市場周期的底部，國內也已經涌現出一批很受市場關注的企業正努力抓住機遇，憑借成本優勢、技術性能等迅速在市場站穩腳跟。待市場景氣度回升，國產存儲廠商有望分得更大的市場。

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