本次融資資金將主要用于加強研發團隊建設和設備采購，提升產品研發能力，加速磁性隨機存儲器芯片的研發和生產線建設落地。

微新創想獲悉，近日，致真存儲(北京)科技有限公司宣布完成數千萬元Pre-A輪融資，投資方包括俱成資本、中國互聯網投資基金、京鵬投資等。融資資金將主要用于加強研發團隊建設和設備采購，提升產品研發能力，加速磁性隨機存儲器（Magnetic Random-Access Memory，MRAM）芯片的研發和生產線建設落地。

致真存儲（北京）科技有限公司是一家以磁存儲技術為基礎的創新性科技企業，掌握芯片設計、研發及生產制造等關鍵核心技術。基于產學研全鏈條合作模式，依托國內半導體制造產業鏈，發揮產業協同優勢，形成了面向MRAM芯片產品的全國產化生產制造流程。公司的核心產品將應用于高可靠電子裝置、工業芯片、汽車電子、消費領域及人工智能等多個行業。

致真存儲2019年7月成立，設立有北京總部，已完成建設青島研發中心，未來計劃在上海、無錫、南京、杭州等多地開設分公司及研究院，力爭成為服務于全國乃至全球的存儲芯片解決方案供應商。目前公司團隊規模超80人，擁有核心專利80余項，參與國家重點研發計劃等多個國家級重點科技項目。

存儲芯片在半導體行業中是最為重要的產品之一。2022年全球集成電路產業規模為4744.02億美元，其中，存儲芯片規模為1297.67億美元，約占集成電路產業總體規模的22.6%。然而隨著集成電路先進工藝制程的逐步微縮，高效能應用場景對存儲芯片性能的要求進一步提升，傳統存儲芯片遭遇性能提升的技術瓶頸。以MRAM為代表的新型存儲器成為解決存儲芯片提高效能的突破口。MRAM不僅擁有靜態隨機存儲器（SRAM）的高速讀取寫入能力，還具備閃存（FLASH）的高集成度和非易失特性。

磁存儲技術已經歷了三代技術迭代。目前市面上廣泛流通的產品為第二代自旋轉移矩磁存儲芯片（Spin-Transfer Torque MRAM,STT-MRAM）,該類產品可用于智能消費類電子設備、IoT終端及車載芯片，國際半導體制造龍頭企業均已量產相關產品。為更進一步提升MRAM芯片的性能，加強其與半導體先進制程工藝的兼容性（如兼容5nm以下工藝節點），業界提出了第三代技術：自旋軌道耦合矩磁存儲芯片（Spin-Orbit Torque MRAM,SOT-MRAM）,該產品在讀寫速度、壽命、可靠性等性能指標上具有顯著優勢，可作為Cache級存儲器，可以嵌入式形式，在工業芯片、消費電子領域有廣泛的應用場景。第三代磁存儲技術目前全球各團隊均處于研發階段，市面上尚無成型產品推出，因此不論在專利還是市場方面，都是我國在新型存儲領域能夠實現彎道超車的最佳賽道。

據Yole等知名半導體分析機構預測，全球新型存儲器市場將保持較高水平的增長，預計未來五年將以63%的復合增長率增長，2030年市場規模將達到400億美元（含獨立式與嵌入式）。

致真存儲團隊在自旋存儲芯片領域具有近二十年的科研基礎，專注于前沿MARM自旋存儲芯片的技術研發和生產，具備物理層面機理探索、材料研究、電路設計、芯片制造及應用開發的全流程能力，尤其在SOT-MARM領域，致真存儲的技術水平在全球處于行業領先地位，是一家在磁存儲芯片領域具有競爭優勢的科技創新公司。

技術層面，團隊提出并實現了一種自旋軌道矩-自旋轉移矩協同翻轉磁矩的MRAM數據寫入方法，構建了高密度MRAM產品的設計，并獲得了中美授權的門檻性專利，自主研發的高隧穿磁阻效應垂直隧道結，其核心指標高于IBM、IMEC等國際機構。其自研的新一代MRAM芯片可采用一種NAND-SPIN結構，大幅提升容量的同時兼具速度快、壽命長、功耗低等性能優勢，該結構可很好地與CMOS工藝兼容，降低制造難度及制造成本。

截至目前，公司已獲得中科創星、普華資本、中電海康等多方戰略投資，并通過引入產業投資方，實現磁存儲產業生態鏈的資源整合。致真存儲已簽約青島市西海岸新區，在地方政府的大力支持下籌劃建設8英寸和12英寸的新一代存儲芯片專用后道加工生產線，項目預計于2025年上半年建成，屆時致真存儲將具備磁存儲芯片的獨立制造能力，一期建設規劃年產能可達2萬片。

在談及未來發展規劃時，致真存儲CEO王戈飛表示：致真存儲研發的新一代磁存儲芯片，具備高速讀寫、低功耗、耐擦寫、高可靠、寬溫區等獨特優勢，是下一代非易失存儲芯片的理想選擇，未來該芯片將在各個行業大有可為。我們將利用現有的8英寸研發平臺及12英寸產業資源加快研發，同時推動MRAM量產線建設，加速推進國產磁存儲芯片的市場化進程，力爭成為國內磁存儲行業的領軍企業。

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